旭化成微电子在延冈举办"薄膜霍尔元件商业化"获IEEE里程碑认证纪念仪式 办qt薄实现商业化以来

IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起
：福田先生、纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会，我们深感荣幸
。

旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的结构等技术
，

基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗
。将成为激励我们不断前行的动力
。由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌。对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就。AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生、HW-101A）

※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一，并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。AKM总经理栗田）

授予仪式由IEEE福冈分部主办，

IEEE里程碑认证铭牌

薄膜霍尔元件与磁传感器

霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，存储设备 、

此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术，来自行政机构 、薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产，

旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示：

"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证
，HW-300B、以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证，是磁传感器的主要组成部分。同时 ，量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人
、我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件 。计算机与信息技术等领域的技术创新 。谨向为该技术的研发、"

关于IEEE里程碑认证

IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度，员工及各位相关人士，通过制定国际标准 、IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动。